来源时间为：2023-10-17
加快打造原始创新策源地，加快突破关键核心技术，努力抢占科技制高点，为把我国建设成为世界科技强国作出新的更大的贡献。
——习近平总书记在致中国科学院建院70周年贺信中作出的“两加快一努力”重要指示要求
面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康，率先实现科学技术跨越发展，率先建成国家创新人才高地，率先建成国家高水平科技智库，率先建设国际一流科研机构。
——中国科学院办院方针
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【科技日报】高性能大面积碳化硼薄膜在中国散裂中子源研制成功
2023-10-17
科技日报龙跃梅
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记者10月16日从中国散裂中子源（CSNS）获悉，CSNS探测器团队利用自主研制的磁控溅射大面积镀硼专用装置，近日成功制备出满足中子探测器需求的高性能大面积碳化硼薄膜样品，单片面积达到1500毫米×500毫米，薄膜厚度1微米，全尺寸范围内厚度均匀性优于±1.32，是目前国际上用于中子探测的最大面积的碳化硼薄膜。
基于硼转换的中子探测器因其优异的性能已成为当前国际上研究的热点，随着CSNS二期工程即将启动，拟建的中子谱仪对大面积、高效率、位置灵敏的新型中子探测器需求紧迫。如何制备出高性能中子转换碳化硼薄膜是其中最核心的技术，目前也只有美国、欧洲等少数几个发达国家掌握了该项技术。2016年，在核探测与核电子学国家重点实验室的支持下，CSNS探测器团队与同济大学朱京涛教授合作，开始研制一台磁控溅射大面积镀硼专用装置，镀膜厚度范围为0.01—5微米，同时支持单、双面镀膜，支持射频和直流镀膜。2021年6月，该装置通过验收并投入使用。
据了解，经过多年的技术攻关和工艺试制，团队利用该装置制备了多种规格的碳化硼薄膜，并成功应用于CSNS多台中子谱仪上的陶瓷GEM中子探测器，实现了中子探测器关键技术和器件的国产化，为接下来研制更大面积的高性能新型中子探测器提供了强有力的技术支撑。
（原载于《科技日报》?2023-10-17?03版）
记者10月16日从中国散裂中子源（CSNS）获悉，CSNS探测器团队利用自主研制的磁控溅射大面积镀硼专用装置，近日成功制备出满足中子探测器需求的高性能大面积碳化硼薄膜样品，单片面积达到1500毫米×500毫米，薄膜厚度1微米，全尺寸范围内厚度均匀性优于±1.32，是目前国际上用于中子探测的最大面积的碳化硼薄膜。基于硼转换的中子探测器因其优异的性能已成为当前国际上研究的热点，随着CSNS二期工程即将启动，拟建的中子谱仪对大面积、高效率、位置灵敏的新型中子探测器需求紧迫。如何制备出高性能中子转换碳化硼薄膜是其中最核心的技术，目前也只有美国、欧洲等少数几个发达国家掌握了该项技术。2016年，在核探测与核电子学国家重点实验室的支持下，CSNS探测器团队与同济大学朱京涛教授合作，开始研制一台磁控溅射大面积镀硼专用装置，镀膜厚度范围为0.01—5微米，同时支持单、双面镀膜，支持射频和直流镀膜。2021年6月，该装置通过验收并投入使用。据了解，经过多年的技术攻关和工艺试制，团队利用该装置制备了多种规格的碳化硼薄膜，并成功应用于CSNS多台中子谱仪上的陶瓷GEM中子探测器，实现了中子探测器关键技术和器件的国产化，为接下来研制更大面积的高性能新型中子探测器提供了强有力的技术支撑。（原载于《科技日报》?2023-10-17?03版）
